姐妹花 porn 音尘称三星本月顺利研制首批 1c nm 良品晶粒，将用于 HBM4 内存

IT之家 10 月 22 日音尘，韩媒 ZDNET Korea 当地本事昨日报谈称，三星电子本月初度建树出 1c nm（第 6 代 10nm 级）DRAM 内存 Good Die 良品晶粒姐妹花 porn，公司里濒临此赐与积极评价。

不外三星的 1c nm DRAM 量产建树尚需一段时日，首批产物良率不及一成。产能方面，三星电子规画在本年底前建成第一条 1c nm DRAM 内存量产线。

参考IT之家以往报谈，三星电子下代 HBM 内存 HBM4 瞻望将基于 1c nm DRAM，以期通过制程上风追逐在 HBM3E 量产供应上更为快速的 SK 海力士与好意思光两大敌手，夺回在 HBM 界限的商场份额。

凭证行业以往惯例，每代 DRAM 制程多领先愚弄于 DDR 通用内存，然后徐徐彭胀到 LPDDR，最终再在对 DRAM 良率与性能条目严苛的 HBM 上使用。

不外洽商到 1c nm DRAM 世代首台产线直到本年底才会建成，全面量产最早也需要到 2025 上半年，而此前音尘称三星电子 HBM4 将于 2025 年底量产，这意味着三星很可能在 1c nm 上残害惯例法例姐妹花 porn，对该 DRAM 制程的良率与性能爬坡速率建议了更高条目。